Vishay新款MOSFET刷新最低導通電阻記錄

日前，VishayIntertechnology,Inc.宣布，推出采用超小尺寸的熱增強PowerPAK®SC-70封裝的新款雙片N溝道TrenchFET®功率MOSFET。VishaySiliconixSiA936EDJ可在便攜式電子產品中節省空間并提高電源效率，在4.5V和2.5V柵極驅動下具有20V(12VVGS和8VVGS)器件中最低的導通電阻，占位面積為2mmx2mm。

此次發布的器件適用于負載和充電器開關、DC/DC轉換器，以及智能手機、平板電腦、移動計算設備、非植入便攜式醫療產品、帶有小型無刷直流電機的手持式消費電子產品中電源管理應用的H橋和電池保護。SiA936EDJ為這些應用提供了34mΩ(4.5V)、37mΩ(3.7V)和45mΩ(2.5V)的極低導通電阻，并內建ESD保護功能。器件在2.5V下的導通電阻比最接近的8VVGS器件低11.7%，同時具有更高的(G-S)防護頻帶，比使用12VVGS的最接近器件的導通電阻低15.1%。

器件的低導通電阻使設計者可以在其電路里實現更低的壓降，更有效地使用電能，并延長電池壽命。雙片SiA936EDJ把兩顆MOSFET集成在一個小尺寸封裝里，簡化了設計，降低了元器件數量，節省了重要的PCB空間。MOSFET進行了100%的Rg測試，符合JEDECJS709A的無鹵素規定，符合RoHS指令2011/65/EU。

SiA936EDJ現可提供樣品，并已實現量產，大宗訂貨的供貨周期為十二周到十四周。